-
1 Epitaxie
сущ.1) тех. эпитаксия (область кристаллической решётки с отличным от матрицы параметром или укладкой)2) спец. эпитаксиальное выращивание, эпитаксия3) микроэл. йодидный метод, эпитаксиальная кристаллизация, эпитаксиальное наращивание, эпитаксиальное осаждение, эпитаксиальные процессы -
2 Gitterbereich
сущ. -
3 Gitterbereich
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Gitterbereich
-
4 Epitaxie
f эпитаксия ж. (область кристаллической решётки с отличным от матрицы параметром или укладкой) крист.Neue große deutsch-russische Wörterbuch Polytechnic > Epitaxie
-
5 Störstelle
сущ.1) комп. искажение информации на носителе данных, место неисправности2) геол. область нарушения порядка (в структурах)3) тех. примесный центр4) электр. дефект (кристаллической решётки), примесь (в полупроводниках), дефект кристаллической решётки, место повреждения, мешающая радиостанция, неоднородность (напр. линий)5) микроэл. примесный дефект, примесный дефект решетки, центр, примесь, дефект (решётки кристалла)7) дер. место ср. повреждения, место ср. поломки -
6 Domäne
сущ.1) общ. область (знаний, труда)2) геол. флористическая провинция, домен (участок кристаллической решётки), домен (участок кристаллической решётки, напр., магнитный домен)3) перен. государственное лесное хозяйство, сфера, (тк.sg) область, область (знаний), государственная земля4) ист. родовое поместье, вотчина (в Пруссии), государственное имение, земельная собственность5) юр. домен, поместье, сфера (знаний, труда)6) электр. ферромагнитный домен, цилиндрический магнитный домен -
7 Gitterbereich
m область ж. (кристаллической) решёткиNeue große deutsch-russische Wörterbuch Polytechnic > Gitterbereich
См. также в других словарях:
КОЛЕБАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ — один из осн. видов внутр. движений тв. тела, когда составляющие его структурные ч цы (атомы, ионы, молекулы) колеблются около положений равновесия узлов кристаллической решётки. Амплитуда колебаний тем больше, чем выше темп pa, но всегда… … Физическая энциклопедия
Рентгенография материалов — область исследований, занимающаяся решением разнообразных задач материаловедения на основе рентгеновских дифракционных методов. В Р. м. исследуют как равновесные, так и неравновесные состояния материалов; изучают их кристаллическую… … Большая советская энциклопедия
Твёрдое тело — одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от др. агрегатных состояний (жидкости (См. Жидкость), Газов, плазмы (См. Плазма)) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около… … Большая советская энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ТВЁРДОЕ ТЕЛО — агрегатное состояние в ва, характеризующееся стабильностью формы и хар ром теплового движения атомов, к рые совершают малые колебания вокруг положений равновесия. Различают крист. и аморфные Т. т. Кристаллы характеризуются пространств.… … Физическая энциклопедия
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
Алмаз — минерал, кристаллическая модификация чистого углерода (С). А. обладает самой большой из всех известных в природе материалов твёрдостью, благодаря которой он применяется во многих важных отраслях промышленности. Известны три… … Большая советская энциклопедия
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Магнетизм — Классическая электродинамика … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
